860qvo和evo区别是什么( 三 ) _买860evo还是qvo呢?

二.闪存颗粒不同我们可能在选购固态硬盘的时候，发现同样的品牌、同样的容量并且接口都保持一致的固态硬盘，固态硬盘价格却差距了不少，可能就会存在闪存颗粒不同的情况。举个例子，就例如三星860 EVO和三星860 QVO两款SATA接口的固态硬盘，如果不去深入了解的话，可能只能发现颜色不同罢了，但其实是存在颗粒上的不同，三星860 EVO采用了是目前主流的TLC颗粒，而三星860 QVO采用的是QLC颗粒，同样是1TB容量，两者因为颗粒的原因差了差不多400元。包括intel 760P和660P M.2固态差价那么大，也是因为颗粒不同原因。采用TLC和QLC不同颗粒的SATA3.0接口的固态硬盘那么颗粒不同为什么会导致价格不同呢，到底之间有什么区别呢？颗粒主要有QLC、SLC、MLC、TLC等，SLC是企业级服务器用的，MLC已经逐渐退出市场，目前市场主流主要是TLC颗粒，还有新推出不久的QLC颗粒，它们之间的区别如下。SLC单层存储单元全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
【860qvo和evo区别是什么】MLC双层存储单元全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。TLC三层存储单元全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。QLC四层存储单元全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。